HBM再漲價 存儲告急！

　　今天，Maingear首席執(zhí)行官WallaceSantos在與媒體的電話會議上表示：“就目前我們看到的內(nèi)存短缺情況而言，起初我基本上被告知這只是兩到五個月的問題，生產(chǎn)線正在逐步恢復，一切都會好起來的”。

　　“作為一家原始設備制造商的老板，我做好了準備，我們在沒有庫存的情況下盡一切努力，做好了準備。但根據(jù)我們目前掌握的情況來看，內(nèi)存短缺問題將持續(xù)數(shù)年?！盨antos接著說。

　　尤其是在韓媒報道HBM將漲價之后，存儲的情況持續(xù)告急。

　　HBM3E價格，上漲約20%

　　據(jù)韓媒報道，隨著英偉達預計將開始正式向中國出口搭載第五代高帶寬內(nèi)存（HBM）HBM3E的H200人工智能（AI）芯片，三星電子和SK海力士等內(nèi)存半導體公司已提高了明年HBM3E的供應價格。包括英偉達、谷歌和亞馬遜在內(nèi)的眾多自主研發(fā)AI加速器的公司紛紛下單，訂單量激增。

　　“此次價格上漲還受到內(nèi)存半導體公司集中精力擴大第六代HBM（HBM4）產(chǎn)能的影響，預計明年HBM4的需求將大幅增長，導致這些公司產(chǎn)能有限，難以滿足HBM3E的需求。”韓媒接著說。

　　業(yè)內(nèi)人士24日透露，包括三星電子和SK海力士在內(nèi)的多家存儲半導體公司已將HBM3E的供貨價格上調(diào)了近20%。分析師表示，鑒于HBM3E價格通常在下一代產(chǎn)品發(fā)布前會下降，此次上調(diào)價格實屬罕見。普遍認為，谷歌和亞馬遜等公司上調(diào)了明年HBM3E的訂單量，而英偉達（此前是HBM3E的最大客戶）也參與了此次價格上漲。谷歌和亞馬遜均自行設計人工智能加速器。

　　一位業(yè)內(nèi)人士表示：“今年HBM3E確立了其在HBM市場的主導地位，但預計明年HBM4市場開放后價格會有所回落?！彼瑫r指出：“然而，隨著除英偉達以外的全球大型科技公司明年發(fā)布搭載HBM3E的AI加速器，對HBM3E的需求持續(xù)增長。從存儲器半導體公司的角度來看，他們不能放棄擴大HBM4產(chǎn)能，因此供應無法滿足需求，導致價格溢價約20%?！?/p>

　　隨著英偉達H200AI芯片獲準出口中國，HBM3E的需求似乎超出了預期。英偉達H200芯片每片搭載六個HBM3E顯存單元。路透社22日（當?shù)貢r間）報道稱，“英偉達計劃利用現(xiàn)有庫存處理首批訂單，預計總出貨量為5000至10000個芯片模塊（約40000至80000片H200芯片）”，并補充道，“英偉達已告知中國客戶其擴大芯片產(chǎn)能的計劃，預計將于明年第二季度開始接受相關新訂單?！?/p>

　　谷歌和亞馬遜等全球大型科技公司也需要HBM3E。這是因為谷歌的TPU（張量處理單元）和亞馬遜的Trainium都配備了HBM3E，并將于明年開始出貨。與上一代產(chǎn)品相比，這兩款產(chǎn)品的HBM容量都將提升近20%至30%。據(jù)悉，谷歌第七代TPU每個設備可搭載8個HBM3E單元，而亞馬遜的Trainium3則可搭載4個HBM3E單元。

　　由于三星電子和SK海力士預計將專注于生產(chǎn)下一代HBM4，HBM3E的需求已超過供應。KB證券分析師金東元表示：“預計明年HBM4將占HBM市場收入的55%，HBM3E占45%，并且從明年第三季度開始，HBM4預計將迅速吸收HBM3E的需求?！?/p>

　　隨著HBM需求激增，以及DRAM等主流產(chǎn)品價格持續(xù)上漲，市場對三星電子和SK海力士明年盈利的預期也隨之上調(diào)。據(jù)金融數(shù)據(jù)公司FnGuide的數(shù)據(jù)顯示，三星電子將明年全年營業(yè)利潤預期從一個月前的76.6544萬億韓元上調(diào)至85.4387萬億韓元，SK海力士同期營業(yè)利潤預期也從71.4037萬億韓元上調(diào)至76.1434萬億韓元。

　　HBM的高需求，讓從業(yè)者成為了其中大贏家。

　　存儲三巨頭，掙翻了

　　這波HBM熱潮，讓美光首先上演了逆襲好戲。市場對內(nèi)存的高需求推動美光科技股價上漲，預計到2025年將上漲168%。

　　美光是為人工智能應用提供高帶寬內(nèi)存的三家公司之一。例如，AMD大量使用美光的內(nèi)存的最新人工智能芯片。

　　美光科技表示，截至11月27日的季度，公司營收為136.4億美元，同比增長56.6%，高于上一季度46%的增速，主要得益于人工智能的蓬勃發(fā)展推動了市場需求的增長。按美國通用會計準則（GAAP）計算，公司利潤為52.4億美元，同比增長231%。利潤率從上一季度的28.3%上升至本季度的38.4%。

　　總裁兼首席執(zhí)行官SanjayMehrotra表示：“在第一財季，美光公司在公司層面以及各個業(yè)務部門都實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的收入和顯著的利潤率增長?！?/p>

　　為此，美光計劃最大限度地提高其晶圓廠的產(chǎn)能，通過提升高密度工藝節(jié)點的產(chǎn)量并投資新建潔凈室空間來提高產(chǎn)能。具體而言，需要額外的潔凈室空間來滿足不斷增長的HBM需求，但不同地區(qū)的潔凈室建設周期都在延長。

　　我們正在調(diào)整愛達荷州第一座晶圓廠的建設時間表，現(xiàn)在預計將于2027年年中實現(xiàn)首批晶圓產(chǎn)出，比我們之前預期的2027年下半年要早。今年早些時候，我們宣布了在愛達荷州建設第二座晶圓廠的計劃，該晶圓廠將于2026年開始建設，并于2028年底投入運營。

　　“我們計劃于2026年初在紐約破土動工興建我們的第一座晶圓廠，預計該晶圓廠將在2030年及以后提供供應……在新加坡，我們的HBM先進封裝工廠正按計劃推進，預計將于2027年為我們的HBM供應做出重大貢獻?！?/p>

　　2026年的內(nèi)存產(chǎn)能已售罄，包括HBM4。美光預測，到2028年，HBM市場規(guī)模將以約40%的復合年增長率增長，從2025年的約350億美元增長到2028年的約1000億美元。這一2028年HBM市場規(guī)模預測值將超過2024年整個DRAM市場的規(guī)模。

　　美光認為，它正處于歷史上最佳的競爭地位，并且是半導體行業(yè)人工智能領域最大的推動者之一。

　　除了美光以外，韓國雙雄的表現(xiàn)也尤為亮眼。

　　過去三個月，包括三星電子和SK海力士在內(nèi)的國內(nèi)主要半導體公司的盈利前景顯著改善。隨著預期增強，投資者也越來越關注近期股價上漲趨勢能否持續(xù)。

　　據(jù)財經(jīng)信息公司FnGuide24日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，截至22日，三星電子今年的年度營業(yè)利潤預期（市場平均預測值）為39.1491萬億韓元，較三個月前的預測值（30.1454萬億韓元）增長30%。同期，SK海力士今年的營業(yè)利潤預期也上調(diào)了12%，從38.2883萬億韓元增至42.7712萬億韓元。

　　明年業(yè)績預期上調(diào)幅度更大。三星電子明年的年度營業(yè)利潤預期普遍上調(diào)至85.4387萬億韓元，較三個月前的44.1092萬億韓元飆升94%。市場甚至預期其營業(yè)利潤可能超過100萬億韓元。在各證券公司中，韓亞證券給出的預期最高，預測三星電子明年的營業(yè)利潤將達到112.8194萬億韓元。

　　SK海力士明年的營業(yè)利潤預期在三個月內(nèi)也上調(diào)了66%，從45.9060萬億韓元增至76.1434萬億韓元。iM證券則預測SK海力士明年的營業(yè)利潤將達到93.8430萬億韓元，是韓國國內(nèi)證券公司中預測值最高的。

　　證券公司指出，DRAM價格上漲以及人工智能需求增長推動HBM（高帶寬內(nèi)存）出貨量增加，是明年業(yè)績提升的關鍵因素。韓亞證券研究員金祿浩表示：“近期內(nèi)存價格上漲趨勢持續(xù)擴大，美國半導體公司美光對明年第一季度內(nèi)存價格的預期很可能也會上調(diào)?！彼€補充道：“三星電子和SK海力士的業(yè)績預期仍有上調(diào)空間?！?/p>

　　未來資產(chǎn)證券研究員金永坤評估道：“預計今年全球大型科技公司的設備投資將達到4600億美元，明年將擴大至6000億美元?！彼a充說：“在2016年至2022年第一個投資周期中引入的服務器更新周期很可能即將真正開始，這也是一個積極因素?！?/p>

　　也正因如此，讓全球有了一個新隱憂，那就是大家都把目光盯向了HBM，讓PC和移動設備等面臨挑戰(zhàn)。例如本月初，美光就表示，將停止直接向消費者銷售內(nèi)存和其他零部件，以保障人工智能芯片和數(shù)據(jù)中心的供應。

　　其他存儲買家，難上加難

　　咨詢機構(gòu)IDC之言，內(nèi)存市場正處于前所未有的拐點，需求遠超供應。在他們看來，對于一個長期以來以繁榮與蕭條周期為特征的行業(yè)來說，這次的情況有所不同。

　　人工智能基礎設施和工作負載的快速擴張給內(nèi)存生態(tài)系統(tǒng)帶來了巨大壓力。這些人工智能工作負載需要大量的內(nèi)存，而造成內(nèi)存短缺的部分原因是，制造商將產(chǎn)能從消費電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向了利潤豐厚的內(nèi)存解決方案，以支持人工智能的發(fā)展。

　　“主要的內(nèi)存制造商并沒有擴大智能手機、個人電腦和其他消費電子產(chǎn)品中使用的傳統(tǒng)DRAM和NAND的產(chǎn)能，而是將生產(chǎn)轉(zhuǎn)向了人工智能數(shù)據(jù)中心使用的內(nèi)存，例如高帶寬內(nèi)存（HBM）和高容量DDR5。這限制了通用內(nèi)存模塊的供應，并推高了所有內(nèi)存模塊的價格?！盜DC進一步指出。

　　IDC表示，人工智能服務器和企業(yè)環(huán)境所需的單系統(tǒng)內(nèi)存遠高于消費級設備，因此人工智能的部署占用了全球不成比例的內(nèi)存資源，導致內(nèi)存短缺，因為供應商優(yōu)先滿足超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和用于構(gòu)建人工智能服務器的原始設備制造商(OEM)的訂單。這種動態(tài)導致可供消費級設備使用的DRAM減少，加劇了本已緊張的市場價格壓力。?

　　然而，這并非僅僅是供需不匹配導致的周期性短缺，而是全球硅晶圓產(chǎn)能可能永久性的戰(zhàn)略性重新分配。

　　IDC指出，幾十年來，智能手機和個人電腦的DRAM和NAND閃存生產(chǎn)一直是硅晶圓產(chǎn)能的主要驅(qū)動力。如今，這種格局已然逆轉(zhuǎn)。微軟、谷歌、Meta和亞馬遜等超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對HBM的巨大需求，迫使三大內(nèi)存制造商（三星電子、SK海力士和美光科技）將有限的潔凈室空間和資本支出轉(zhuǎn)向利潤更高的企業(yè)級組件。

　　“這是一場零和博弈：分配給英偉達GPU的HBM堆疊的每一片晶圓，就意味著中端智能手機的LPDDR5X內(nèi)存模塊或消費級筆記本電腦的固態(tài)硬盤（SSD）缺少一片晶圓。”IDC強調(diào)。因此，IDC預計2026年DRAM和NAND的供應增長將低于歷史平均水平，同比分別增長16%和17%。?

　　在IDC看來，這種供需失衡的結(jié)果是雙重的：近幾個月來，DRAM和NAND/SSD的價格大幅上漲，而這些組件的供應有限，迫使設備制造商應對瞬息萬變的局面。

　　他們認為，2026年，全球智能手機市場，尤其是安卓手機制造商，將面臨威脅。過去十年，智能手機行業(yè)通過將旗艦功能引入價格親民的智能手機來普及配置的趨勢正在發(fā)生逆轉(zhuǎn)。?

　　智能手機的成本結(jié)構(gòu)很大程度上取決于所使用的內(nèi)存。對于中端機型而言，內(nèi)存成本可能占到物料清單總成本的15%到20%，而對于高端旗艦機型，這一比例約為10%到15%。隨著內(nèi)存價格持續(xù)飆升，OEM廠商可能不得不大幅提價、降低配置，或者兩者兼而有之。?

　　短缺的影響極不對稱，在供應鏈韌性和垂直整合方面造成了贏家和輸家。

　　主要面向低端市場的制造商可能會遭受重創(chuàng)。像TCL、傳音、Realme、小米、聯(lián)想、OPPO、vivo、榮耀和華為等廠商的商業(yè)模式都建立在微薄利潤之上。成本上漲將大幅擠壓它們的利潤空間，它們別無選擇，只能將成本（或部分成本）轉(zhuǎn)嫁給最終用戶。

　　在高端市場，蘋果和三星雖然面臨壓力，但其結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢使其能夠提前12-24個月鎖定內(nèi)存供應。另一方面，2026年的新款旗艦機型可能不會升級內(nèi)存，Pro機型仍將保持12GB的配置，而非提升至16GB。此外，現(xiàn)有機型在新機型發(fā)布后不太可能出現(xiàn)價格大幅下降的情況。

　　存儲邏輯，變了

　　彭博社在一篇文章中指出，通常，存儲芯片行業(yè)最令人擔憂的時期就是這個時候。高速增長、巨額利潤以及對未來一片光明前景的預測，往往是災難的預兆。

　　兩種芯片——用于存儲信息的NAND閃存和為英偉達和英特爾等公司的復雜處理器提供運行環(huán)境以進行計算的DRAM芯片——在計算機領域至關重要，從最大的數(shù)據(jù)中心到我們離不開的智能手機，無所不包。它們甚至已經(jīng)滲透到汽車和家用電子產(chǎn)品中。

　　然而，盡管這些芯片不可或缺，但其制造商長期以來一直面臨著供過于求或供過于求的循環(huán)。一家公司的芯片可以直接替代另一家公司的芯片，這使得它們成為了一種大宗商品。再加上短期需求的快速波動以及建造工廠所需的大量時間和成本，就形成了供過于求的局面，導致價格暴跌至生產(chǎn)成本以下。

　　由于其他廠商都認為內(nèi)存芯片市場競爭過于激烈，難以生存，因此目前只有四家主要的內(nèi)存芯片制造商。眾所周知，就連現(xiàn)代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的締造者英特爾，以及目前領先的芯片生產(chǎn)中心——臺灣的企業(yè)，也都已放棄。

　　盡管如此，如果你對內(nèi)存行業(yè)的了解僅限于近幾年，那么內(nèi)存行業(yè)如今已成為炙手可熱的領域。SK海力士和美光科技的營收和市值均創(chuàng)歷史新高，華爾街預測，它們的增長勢頭還將在此基礎上進一步加速。專注于NAND閃存的日本鎧俠控股公司，自2024年12月上市以來，股價已上漲超過六倍。就連曾經(jīng)歷過技術波折的三星電子，也在2025年實現(xiàn)了快速反彈。

　　那么，究竟是什么改變了這一切？

　　芯片制造商認為，人工智能計算領域巨額支出的激增帶來了復利效應。人工智能軟件需要海量數(shù)據(jù)。這催生了前所未有的需求。人工智能需要盡快訪問這些數(shù)據(jù)，這就需要配備高速接口的芯片，而這些芯片價格昂貴。由于這些芯片制造難度高，占用了大量的生產(chǎn)線空間，進而限制了可用于手機和筆記本電腦的內(nèi)存容量。

　　盡管美光科技（Micron）的股價今年已上漲超過兩倍，仍有約88%的分析師建議買入其股票。韓國SK海力士（SKHynix）的股票更受青睞，這主要得益于分析師的推薦。兩家公司都對近期前景充滿信心，外部預測也印證了這種樂觀情緒。如今，它們的凈利潤總額已超過不久前的營收水平。從財務角度來看，它們的實力也達到了前所未有的高度。

　　那么，在這片光明的前景背后，究竟隱藏著怎樣的冰山呢？人工智能泡沫破裂的陰影籠罩著整個科技行業(yè)，而不僅僅是內(nèi)存行業(yè)。更具體地說，盡管技術進步的獨特融合創(chuàng)造了有利的環(huán)境，但還有一個潛在趨勢加劇了SK海力士和美國美光科技的命運轉(zhuǎn)變。

　　自上世紀90年代以來一直主導行業(yè)的三星，在滿足人工智能設備制造商（尤其是英偉達）的需求方面反應遲緩。技術問題意味著其慣用的策略不再奏效。在以往的周期中，這家韓國公司會利用其雄厚的財力迅速提高產(chǎn)量。但這一次，供應方面并未出現(xiàn)從短缺到豐收的轉(zhuǎn)變，這意味著價格居高不下。

　　考慮到從零開始建設一座工廠通常需要一年以上的時間才能投產(chǎn)，除非人工智能需求崩潰，否則2026年不太可能出現(xiàn)內(nèi)存芯片過剩的情況。但任何指望SK海力士和美光科技持續(xù)增長和盈利的人都應該密切關注三星的技術進展。

　　彭博分析師認為，這次情況跟以往不同，我不應該再以歷史為鑒，但值得注意的是，就在2023年，SK海力士和美光兩家公司合計凈虧損超過100億美元。在這個行業(yè)，形勢瞬息萬變。

（文章來源：華爾街見聞）

(原標題：HBM再漲價，存儲告急！)

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