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SK海力士高盛電話會(huì):所有客戶需求都無(wú)法滿足 今年存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲
在AI需求爆發(fā)與供應(yīng)瓶頸的共振下,存儲(chǔ)芯片正全面進(jìn)入“賣方市場(chǎng)”,海力士明確表示今年所有客戶的需求都無(wú)法得到完全滿足,價(jià)格上漲已成定局。
在2月20日舉行的虛擬投資者會(huì)議上,SK海力士向高盛透露了存儲(chǔ)市場(chǎng)的最新動(dòng)態(tài)。
全行業(yè)缺貨:重復(fù)下單無(wú)用,只會(huì)推高價(jià)格
海力士對(duì)今年的價(jià)格走勢(shì)給出了非常明確的指引:受AI客戶強(qiáng)勁需求和供應(yīng)增長(zhǎng)有限的推動(dòng),存儲(chǔ)價(jià)格預(yù)計(jì)將在全年持續(xù)上漲。
這背后的核心邏輯在于供給端的剛性約束。海力士指出,全行業(yè)受限于潔凈室(Clean room)空間的不足,供應(yīng)增長(zhǎng)受到物理限制。對(duì)于市場(chǎng)擔(dān)憂的“重復(fù)下單”(Double-booking)風(fēng)險(xiǎn),海力士的看法直擊要害:
“出現(xiàn)有意義的重復(fù)下單的可能性很低??蛻舴浅G宄唐趦?nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)能無(wú)法顯著增加。因此他們意識(shí)到,重復(fù)下單并不會(huì)帶來(lái)更多的分配量,反而只會(huì)進(jìn)一步推高價(jià)格?!?/p>
盡管PC和移動(dòng)端客戶可能會(huì)通過(guò)“降低配置”(Despeccing)來(lái)應(yīng)對(duì),但在受限的供應(yīng)增長(zhǎng)面前,這一因素被完全抵消。AI客戶隨著服務(wù)取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展,正在維持巨大的投資規(guī)模,這種“真實(shí)需求”成為了價(jià)格上漲最堅(jiān)實(shí)的支撐。
庫(kù)存降至“極低水位”,話語(yǔ)權(quán)向賣方轉(zhuǎn)移
目前的供需緊張程度已經(jīng)達(dá)到了近年來(lái)的高點(diǎn)。海力士在會(huì)議中透露了一個(gè)關(guān)鍵事實(shí):
“今年沒(méi)有任何一家客戶能夠完全滿足其存儲(chǔ)需求?!?/strong>
這意味著所有終端市場(chǎng)的需求滿足率都處于低位。從庫(kù)存角度看,服務(wù)器客戶的庫(kù)存已達(dá)到健康水平,而PC和移動(dòng)客戶的庫(kù)存正呈現(xiàn)下降趨勢(shì)。
更為關(guān)鍵的是作為供應(yīng)端的海力士,其自身庫(kù)存已極其單薄。
“我們?cè)贒RAM和NAND上的庫(kù)存均處于正常水平,約為4周,并預(yù)計(jì)這一水平在全年將繼續(xù)下降?!?/p>

極低的庫(kù)存水位意味著供應(yīng)商的議價(jià)能力(Leverage)持續(xù)增強(qiáng)。在此背景下,海力士透露,“正在與主要客戶討論多年期的長(zhǎng)期合約”。雖然公司態(tài)度謹(jǐn)慎,但這標(biāo)志著市場(chǎng)結(jié)構(gòu)已從現(xiàn)貨博弈轉(zhuǎn)向?qū)﹂L(zhǎng)期供應(yīng)穩(wěn)定性的爭(zhēng)奪。
HBM產(chǎn)能售罄,標(biāo)準(zhǔn)型DRAM短缺成新籌碼
對(duì)于市場(chǎng)最關(guān)注的HBM(高帶寬內(nèi)存),海力士明確表示,2026年的產(chǎn)能分配已成定局。
“2026年的HBM已全部售罄,滿足客戶需求的生產(chǎn)計(jì)劃已經(jīng)分配完畢。”
海力士坦言,鑒于目前的生產(chǎn)計(jì)劃,很難在2026年對(duì)HBM和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的產(chǎn)線進(jìn)行有意義的調(diào)整。然而,這種僵局反而為未來(lái)帶來(lái)了利好。由于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM目前的供需極度緊張(Tight S/D),這為海力士在談判桌上贏得了更多籌碼。公司認(rèn)為,這種緊張局勢(shì)“可能會(huì)為2027年的HBM業(yè)務(wù)帶來(lái)更優(yōu)惠的條款”。
在制程遷移方面,海力士今年的重心明確:M15X工廠將主要致力于提升1b nm產(chǎn)能以支持HBM3E和HBM4。而更先進(jìn)的1c nm制程,今年將主要用于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的大規(guī)模遷移,預(yù)計(jì)年底前1c nm將占據(jù)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM一半以上的產(chǎn)能,而HBM對(duì)1c nm的大規(guī)模采用(主要用于HBM4E)將從2027年開始。
資本開支:嚴(yán)守紀(jì)律,聚焦高回報(bào)
盡管面臨巨大的需求缺口,海力士在資本開支(Capex)上依然保持清醒。
公司確認(rèn)今年的資本開支將超過(guò)去年,但強(qiáng)調(diào)將“繼續(xù)堅(jiān)持資本開支紀(jì)律”。投資的優(yōu)先級(jí)非常清晰:核心聚焦于HBM和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM。對(duì)于NAND業(yè)務(wù),雖然恢復(fù)了部分投資(主要是向321層3D NAND遷移),但其在總資本開支中的占比將保持穩(wěn)定(預(yù)計(jì)維持在低雙位數(shù)百分比),不會(huì)盲目擴(kuò)張。
海力士高盛電話會(huì)全文翻譯如下:
SK 海力士 (000660.KS):虛擬會(huì)議要點(diǎn);內(nèi)存供需緊張導(dǎo)致議價(jià)能力增強(qiáng)及 HBM 潛在上行空間
日期: 2026年2月20日 | 下午 3:38 (韓國(guó)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間)
摘要
我們于 2 月 20 日舉辦了 SK 海力士(以下簡(jiǎn)稱“海力士”)與投資者的虛擬小組會(huì)議。主要結(jié)論包括:
受實(shí)際需求和供應(yīng)緊張驅(qū)動(dòng),今年內(nèi)存價(jià)格可能持續(xù)上漲。
健康的庫(kù)存水平和不斷增強(qiáng)的供應(yīng)商議價(jià)能力,正促使關(guān)于長(zhǎng)期合同的討論增加。
當(dāng)前傳統(tǒng) DRAM 的供需緊張可能為 2027 年的 HBM(高帶寬內(nèi)存)業(yè)務(wù)帶來(lái)更有利的條款。
2026 年 1c nm 制程的產(chǎn)能爬坡主要用于傳統(tǒng) DRAM,而用于 HBM 的主要從 2027 年開始。
資本支出(Capex)指引及對(duì) DRAM/HBM 投資的關(guān)注重點(diǎn)與高盛預(yù)測(cè)(GSe)基本一致。
我們重申對(duì)海力士的“買入”評(píng)級(jí)。 (關(guān)于我們對(duì)內(nèi)存行業(yè)的更多觀點(diǎn),請(qǐng)參閱我們最新的內(nèi)存報(bào)告。)
主要會(huì)議紀(jì)要 (Key Takeaways)
1. 受實(shí)際需求和供應(yīng)緊張驅(qū)動(dòng),內(nèi)存價(jià)格年內(nèi)可能持續(xù)上漲 海力士認(rèn)為,在 AI 客戶強(qiáng)勁需求的推動(dòng)下,當(dāng)前的內(nèi)存價(jià)格上漲趨勢(shì)可能貫穿全年。公司預(yù)計(jì),隨著 AI 客戶在 AI 服務(wù)方面取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展,他們將繼續(xù)保持相當(dāng)大的投資規(guī)模。 盡管公司承認(rèn) PC 和移動(dòng)端客戶潛在的“規(guī)格降低(despeccing)”可能會(huì)對(duì)內(nèi)存需求造成壓力,但由于供應(yīng)增長(zhǎng)有限,公司仍預(yù)計(jì)價(jià)格將保持上漲軌跡。 公司提到,全行業(yè)無(wú)塵室空間有限是導(dǎo)致供應(yīng)緊張和內(nèi)存價(jià)格環(huán)境有利的原因之一。公司認(rèn)為內(nèi)存訂單出現(xiàn)實(shí)質(zhì)性“重復(fù)下單(double-booking)”的可能性較低,因?yàn)榭蛻粢庾R(shí)到短期內(nèi)內(nèi)存產(chǎn)能無(wú)法顯著增加,因此他們認(rèn)識(shí)到重復(fù)下單不會(huì)帶來(lái)更多配額,反而會(huì)進(jìn)一步推高價(jià)格。
2. 健康的庫(kù)存水平和增強(qiáng)的供應(yīng)商議價(jià)能力促使長(zhǎng)期合同討論增加海力士強(qiáng)調(diào),今年沒(méi)有客戶能夠完全滿足其內(nèi)存需求,因此所有終端市場(chǎng)的需求滿足率仍處于較低水平。結(jié)果是,海力士認(rèn)為服務(wù)器客戶的庫(kù)存水平正達(dá)到健康狀態(tài),而 PC/移動(dòng)端客戶的庫(kù)存水平呈下降趨勢(shì)。 考慮到供應(yīng)商方面的庫(kù)存也很精簡(jiǎn)(我們認(rèn)為海力士持有的DRAM 和 NAND 正常庫(kù)存水平約為 4 周,并預(yù)計(jì)該水平將在全年下降),我們認(rèn)為供應(yīng)商的議價(jià)能力(leverage)將繼續(xù)增強(qiáng)。 在此背景下,公司正在與主要客戶討論多年期合同。雖然討論已取得一定進(jìn)展,但海力士總體持謹(jǐn)慎態(tài)度,試圖最大化未來(lái)的需求穩(wěn)定性。
3. 當(dāng)前傳統(tǒng) DRAM 供需緊張可能為 2027 年的 HBM 業(yè)務(wù)帶來(lái)更有利的條款 雖然認(rèn)識(shí)到需求的潛在上行空間,但海力士提到,鑒于今年的 HBM 已售罄且滿足客戶需求的生產(chǎn)已分配完畢,要在 2026 年對(duì) HBM 和傳統(tǒng) DRAM 之間的生產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行實(shí)質(zhì)性更改將很困難。 雖然公司可能會(huì)堅(jiān)持 2026 年的原定產(chǎn)能分配計(jì)劃,但我們認(rèn)為,對(duì)于 2027 年,公司的 HBM 業(yè)務(wù)可能有更大的上行空間,因?yàn)槲覀冋J(rèn)為它將能夠反映當(dāng)前傳統(tǒng) DRAM 顯著的供需緊張狀況。
4. 2026 年 1c nm 產(chǎn)能爬坡主要針對(duì)傳統(tǒng) DRAM,HBM 主要從 2027 年開始海力士今年將專注于在 M15X 工廠提升 1b nm DRAM 產(chǎn)能,主要用于支持 HBM3E 和 HBM4 的供應(yīng)。鑒于公司計(jì)劃從 HBM4E 開始使用 1c nm 工藝,該節(jié)點(diǎn)用于 HBM 的大規(guī)模產(chǎn)能爬坡可能會(huì)在 2027 年完成。 同時(shí),由于公司預(yù)計(jì)全年對(duì) DDR5 和 LPDDR5(包括 SOCAMM)的需求強(qiáng)勁,其可能會(huì)進(jìn)行大規(guī)模的技術(shù)遷移(而不是增加新的晶圓產(chǎn)能),以增加其傳統(tǒng) DRAM 的 1c nm 位元供應(yīng),并預(yù)計(jì)到今年年底,超過(guò)一半的傳統(tǒng) DRAM 將采用 1c nm 節(jié)點(diǎn)。
5. 資本支出指引及對(duì) DRAM/HBM 投資的關(guān)注與高盛預(yù)測(cè)基本一致 雖然海力士提到今年的資本支出計(jì)劃仍在討論中,但其繼續(xù)預(yù)計(jì)支出將比去年有所增加,同時(shí)計(jì)劃繼續(xù)堅(jiān)持資本支出紀(jì)律。公司預(yù)計(jì)今年的資本支出中,晶圓廠設(shè)備(WFE)的組合與去年相比不會(huì)有太大差異。 雖然公司已恢復(fù)了部分 NAND 投資,主要是為了遷移到 321層 3D NAND,但仍預(yù)計(jì) NAND 資本支出的比例將保持穩(wěn)定,因?yàn)橘Y本支出的重點(diǎn)仍將放在 HBM 和傳統(tǒng) DRAM 上。 我們認(rèn)為公司對(duì)資本支出的看法與我們的觀點(diǎn)基本一致,因?yàn)槲覀冾A(yù)計(jì)公司今年的總資本支出將同比增長(zhǎng) 36%,達(dá)到 38 萬(wàn)億韓元,并預(yù)計(jì) NAND 的占比今年將保持在低雙位數(shù)百分比,與去年相似。
目標(biāo)價(jià)、風(fēng)險(xiǎn)與方法論
估值方法: 我們基于 2026/27 年預(yù)估平均市凈率(P/B)的 12 個(gè)月目標(biāo)價(jià)為 1,200,000 韓元。 我們使用 30% 作為 AI 溢價(jià),這是海力士過(guò)去一年相對(duì)于三星電子(SEC)交易的平均溢價(jià),因?yàn)榍罢咴?HBM 收入方面增長(zhǎng)顯著,而后者在同期增長(zhǎng)有限。我們將此應(yīng)用于最強(qiáng)勁的價(jià)格上漲周期之一(2009-2010 年)期間的峰值倍數(shù) 2.16 倍,得出目標(biāo)倍數(shù)為 2.8 倍,據(jù)此推導(dǎo)出我們的目標(biāo)價(jià)。
主要風(fēng)險(xiǎn):
內(nèi)存供需嚴(yán)重惡化及技術(shù)遷移延遲。
智能手機(jī)/PC/服務(wù)器需求疲軟,這將影響整體傳統(tǒng)內(nèi)存需求。
三星在 HBM 業(yè)務(wù)上取得積極進(jìn)展,從而影響海力士的 HBM 收入和利潤(rùn)。
AI 相關(guān)資本支出降低,這將影響整體 HBM 需求,進(jìn)而影響公司的 HBM 收入/利潤(rùn)。
圖表數(shù)據(jù)摘要
圖表 1: 我們預(yù)計(jì) 2026 年 DRAM 行業(yè)供需缺口將擴(kuò)大至 4.9%(供不應(yīng)求)。
圖表 2: 我們預(yù)計(jì)海力士的 DRAM 庫(kù)存水平將從已然精簡(jiǎn)的水平(約3-4周)進(jìn)一步呈下降趨勢(shì)。
圖表 3: 我們目前預(yù)計(jì) 2026 年 NAND 行業(yè)供需缺口為 4.2%(供不應(yīng)求)。
圖表 4: 我們預(yù)計(jì)海力士的 NAND 庫(kù)存水平將從已然精簡(jiǎn)的水平進(jìn)一步呈下降趨勢(shì)。
財(cái)務(wù)摘要 (SK Hynix Inc.)
股票代碼: 000660.KS 評(píng)級(jí): 買入 (Buy) 12個(gè)月目標(biāo)價(jià): 1,200,000 韓元當(dāng)前價(jià)格: 894,000 韓元 (截至2026年2月19日收盤) 上漲空間: 34.2% 市值: 631.2 萬(wàn)億韓元 / 4366 億美元
主要財(cái)務(wù)預(yù)測(cè) (高盛預(yù)測(cè)):
| 項(xiàng)目 | 2024年 (實(shí)際) | 2025年 (實(shí)際) | 2026年 (預(yù)測(cè)) | 2027年 (預(yù)測(cè)) |
|---|---|---|---|---|
| 收入 (十億韓元) | 66,193.0 | 97,146.7 | 240,601.9 | 244,390.2 |
| EBITDA (十億韓元) | 36,048.9 | 61,136.5 | 185,220.6 | 172,987.6 |
| 每股收益 EPS (韓元) | 28,719 | 62,161 | 184,085 | 169,477 |
| 市盈率 P/E (倍) | 6.2 | 5.0 | 4.9 | 5.3 |
| 市凈率 P/B (倍) | 1.7 | 1.8 | 2.7 | 1.8 |
| 股息率 (%) | 1.2 | 1.0 | 1.0 | 2.0 |
| 投資資本現(xiàn)金回報(bào)率 CROCI (%) | 21.5 | 27.7 | 50.4 | 39.9 |
(文章來(lái)源:華爾街見(jiàn)聞)
(原標(biāo)題:SK海力士高盛電話會(huì):所有客戶需求都無(wú)法滿足,今年存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲)
(責(zé)任編輯:149)
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