科創(chuàng)100ETF鵬華(588220)漲超1%，海內(nèi)外半導(dǎo)體催化不斷

　　科技板塊利好不斷，消息面上，北京大學(xué)宣布，該校團(tuán)隊(duì)聯(lián)合攻關(guān)，在《自然》發(fā)表突破性研究成果。他們成功構(gòu)建全球首個(gè)基于集成光量子芯片的大規(guī)模量子密鑰分發(fā)網(wǎng)絡(luò)——未名量子芯網(wǎng)，在量子通信芯片化、規(guī)?；l(fā)展上實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵跨越。此外，國內(nèi)龍頭企業(yè)四季度公告銷售收入再創(chuàng)歷史新高。海外方面，全球第八大晶圓代工廠高塔半導(dǎo)體（Tower Semiconductor）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月11日發(fā)布2025年第四季度及全年財(cái)報(bào)，公司決定在此前已宣布并正在執(zhí)行的6.5億美元資本支出計(jì)劃基礎(chǔ)上，額外追加2.7億美元設(shè)備投資，使硅光和硅鍺總投資規(guī)模達(dá)到9.2億美元，較原計(jì)劃增幅超過四成。

　　券商研究方面，萬聯(lián)證券指出，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片有望迎來以AI驅(qū)動(dòng)的新一輪景氣周期。全球云服務(wù)廠商資本開支或加速，有望推動(dòng)服務(wù)器及上游部件需求增長，服務(wù)器存儲(chǔ)占比有望進(jìn)一步提升。目前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，DRAM和NAND Flash占據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)大部分份額。存儲(chǔ)大廠調(diào)整產(chǎn)能規(guī)劃至HBM等高端環(huán)節(jié)，優(yōu)化DRAM及NAND部分環(huán)節(jié)供需格局，致使相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲。存儲(chǔ)市場(chǎng)頭部集中度較高，全球龍頭廠商為三星、SK海力士、美光等，且景氣周期下資本開支有望提升，提振上游半導(dǎo)體設(shè)備等行業(yè)需求。

　　截至2026年2月13日 10:04，上證科創(chuàng)板100指數(shù)(000698)強(qiáng)勢(shì)上漲，成分股富創(chuàng)精密上漲12.97%，華豐科技上漲11.86%，航材股份上漲8.49%，杰華特，微導(dǎo)納米等個(gè)股跟漲。科創(chuàng)100ETF鵬華(588220)上漲1.03%，最新價(jià)報(bào)1.57元。

　　科創(chuàng)100ETF鵬華緊密跟蹤上證科創(chuàng)板100指數(shù)，上證科創(chuàng)板100指數(shù)從上海證券交易所科創(chuàng)板中選取市值中等且流動(dòng)性較好的100只證券作為樣本。上證科創(chuàng)板100指數(shù)與上證科創(chuàng)板50成份指數(shù)共同構(gòu)成上證科創(chuàng)板規(guī)模指數(shù)系列，反映科創(chuàng)板市場(chǎng)不同市值規(guī)模上市公司證券的整體表現(xiàn)。

　　數(shù)據(jù)顯示，截至2026年1月30日，上證科創(chuàng)板100指數(shù)(000698)前十大權(quán)重股分別為華虹公司、源杰科技、東芯股份、睿創(chuàng)微納、中科飛測(cè)、國盾量子、芯源微、百濟(jì)神州、安集科技、復(fù)旦微電，前十大權(quán)重股合計(jì)占比27.42%。前三大申萬一級(jí)行業(yè)及占比分別為電子（40.25%）、電力設(shè)備（13.45%）和生物醫(yī)藥（11.53%）。

（文章來源：界面新聞）

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